黑龙江亿加合和科技开发有限公司获得一种 SiCSi 混合开关结构专利提高开关载流才能与性价比

来源:媒体公告    发布时间:2025-04-21 18:10:56

  金融界 2025 年 2 月 4 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,黑龙江亿加合和科技开发有限公司获得一项名为“一种 SiC/Si 混合开关结构”的专利,授权公告号 CN 222423654 U,请求日期为 2024 年 5 月。

  专利摘要显现,本实用新式提出一种 SiC/Si 混合开关结构。开关结构根据 SiC MOSFET 串联结构,先将两个 SiC MOSFET 串联提高电压等级后再并联一个 Si IGBT,构成混合开关结构。新式结构在提高开关载流才能与性价比的一起还更好的完成了 SiC MOSFET 与 Si IGBT 并联的电压等级匹配。新式结构驱动具有四个时刻自由度,有助于减小 SiC MOSFET 的额定电流等级以下降开关本钱,一起额定的两个自由度就没有引进附加损耗,保证了混合开关的功能优势。

  天眼查资料显现,黑龙江亿加合和科技开发有限公司,成立于2019年,坐落哈尔滨市,是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册本钱200万人民币,实缴本钱30万人民币。经过天眼查大数据分析,黑龙江亿加合和科技开发有限公司共对外出资了1家企业,专利信息6条,此外企业还具有行政许可1个。